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纽约州技术半导体IBM与法国CEA/Leti联手研发22/16nm工艺

IBM与法国原子能委员旗下的电子信息技术研究所(CEA/Leti)宣布,双方已经签署了为期五年的合作协议,将共同致力于新型半导体和纳米电子技术的研发。

  随着45nm的普及、32nm的临近,IBM与CEA/Leti将合作面向22nm乃至更先进工艺(16nm),开发CMOS制造技术所需的高级材料、设备和制程。

  双方的联合研发工作将在CEA/Leti位于法国格勒诺布尔市的300毫米晶圆厂、IBM位于纽约州东费西基尔的300毫米晶圆厂、纽约州奥尔巴尼大学的纳米科学与工程学院、意法半导体工厂等地展开,主要包括以下三个关键方面:

  1、22nm工艺快速成型高级光刻技术

  2、22nm工艺CMOS技术和低功耗设备

  3、用于研究和制造协议控制的创新纳米级表征技术

  达成此番合作后,CEA/Leti将成为IBM的研发合作伙伴,以及IBM联合开发联盟的一员。CEA/Leti将为联盟提供自己在低功耗CMOS(如SOI)、电子束、纳米级表征和成型等方面的独家技术经验。意法半导体也已在2007年加入此联盟。

  CEA主要致力于能源、信息与医疗技术、防卫与安全三个方向的研究,旗下Leti与无线、生物、医疗、光学等业界公司合作,通过技术创新与增强他们的竞争力,其中微米与纳米技术和应用是主要关注点,拥有1200名员工(150多名博士)、多座200/300毫米晶圆厂、8000平方米无尘室、1400多项技术专利。

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