推荐产品3推荐产品2推荐产品1
新闻内容News
台币筚路蓝缕代工台积电明年研发预算逾500亿台币 较今年增40%摄像机环境技术安讯士宣布推出AXIS Q1602系列网络摄像机透过“十二五”规划看光伏照明未来发展三星手机爱立信索尼爱立信CEO柏诺德:暂无WP7手机生产时间表阶段产业晶体管英特尔杨叙:PC衰退说不成立 将进入稳定增长期基站架构网络TI KeyStone 架构支持 L2 及传输处理三星市场美元各LED厂商10Q4财报透露市场新趋势韩国三星公司只有开放的眼光才能成就国际化企业电压转换器电流研诺推出双输出降压转换器提高12-V适配器应用效率

外延沟槽技术ASM启用新的PowerFill外延技术的电源设备

ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅(Epi Si)沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。owerFill是一个精湛的工艺技术,因为它是同类流程速度的3倍,降低制造成本,创造了为电源设备设计在设计程度上新的级别。

Fairchild半导体公司是第一家客户,以处理其先进电源管理器件,已完成其在韩国工厂的核实。对于这种应用,ASM的PowerFill的处理可以实现电源管理器件和电路的占用空间,从而减少损耗和生产成本。

“对于离散式功率的要求MOSFETs是要降低电阻导通,降低栅极电荷和提高电流能力” Fairchild的技术处理主管CB Son表示。 “具备PowerFill的Epsilon工具的性能一直令人印象深刻的,其一个重要的有利因素就是我们可以成功地融入这一先进的沟槽外延处理,能我们认识到,因成本节省而带来的加工吞吐量的显著改善。”

与其它需要通过外延反应堆进行多重传递来实现类似设备结构的处理相比而言,创新后的ASM Epsilon沟槽填补技术的开发能够在无缝隙外延处理一步完成。单一步骤的处理能够使硅外延处理的吞吐量增加三倍,同时保持无缝隙填充的特性,均匀性好,产量。 ASM外延技术总监Shawn Thomas说到:“这种高速沟槽填充技术的开发将是展示ASM与客户合作,使先进的材料和批量生产外延技术的一个例证”。

传感器驱动器功能Intersil推出业内首款汽车级环境光传感器批评新闻线索邮箱Maxim公司推出双输出DC-DC转换器缺陷产品技术陶氏电子材料推出两种新型VISIONPAD研磨垫新18号文:有亮点但给力不够星等美元中国市场全球半导体营收下滑22% 预计明年Q2会反弹卡尔内核处理器飞思卡尔抢占消费领域四核市场芯片厂商成本浅谈编解码芯片未来市场发展及其动向美元全球日本日本震后总体影响的五个预测时序模块信号Novas推出全新精确时序仿真再生技术,有效提升IC设计生产力
0.39027690887451 s