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三星工艺栅极三星成功流片全球第一颗20nm工艺试验芯片

三星电子日前宣布,已经成功实现了20nm工艺试验芯片的流片,这也是迄今为止业内最先进的半导体制造工艺。

三星电子此番利用了美国加州电子设计自动化企业Cadence Design Systems提供的一体化数字流程RTL-to-GDSII

。这套基于Encounter的流程和方法完全能够满足三星20nm试验芯片从IP集成到设计验证的复杂需求,包括Encounter数字部署系统、Encounter RTL编译器、Incisive企业模拟器、Encounter电源系统、QRC Extraction提取工具、Encounter计时系统、Encounter测试与物理验证系统、Encounter NanoRoute路由等等。

三星的试验芯片由ARM Cortex-M0微处理器和ARM Artisan物理IP

组成,不过三星并未透露采用20nm工艺制造的这颗芯片包含了多少晶体管、在核心面积上又有多大。

另据了解,三星20nm工艺将使用

第二代后栅极(GateLast)和高K金属栅极(HKMG)技术,第二代超低K电介质材料,第五代应变硅晶圆,193毫米沉浸式光刻工艺。

尽管只是刚刚流片成功,三星的20nm早期工艺设计套装(PDK)已经向客户开放,方便他们开始着手下一代新工艺产品的设计。

三星和Cadence公司此前就已经有过深入合作,包括在IBM领导的CommonPlatform(通用平台);联盟下的3228nm工艺,以及低功耗HKMG技术等等。

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