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英特尔闪存单元Micron和Intel共同推出3-bit-per-cell NAND闪存

美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特尔公司 (Intel Corporation)联合推出25纳米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 闪存,该 NAND 设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。美光与英特尔预计在今年年底时量产该产品。

与竞争对手 USB、SD (Secure Digital) 闪存卡和消费电子产品相比,新推出的 25nm 64Gb 3bpc 存储设备的性价比更高且存储量更大。闪存主要用于存储数据、照片或其它多媒体,如计算机应用和数码设备(数码相机、便携式媒体播放器、便携式数码摄像机和各类个人电脑)之间的数据捕捉和传输。这些市场一直处在以更低成本提供更高存储容量产品的压力之下。

由双方合资组建的 NAND 闪存公司IM Flash Technologies(简称 IMFT) 所开发的这项 64Gb(或8GB)25nm 光刻技术,可提供每单位3比特的信息容量,而传统技术只能提供1比特(单层存储单元)或2比特(多层存储单元)。业内也将3bpc称为三层存储单元(triple-level cell, 简称 TLC)。

该设备的尺寸与美光和英特尔容量相同的 25nm MLC(多层存储单元)相比,体积要小20%以上,是目前市场上最小的单个 8GB 设备。从产品固有的紧凑型设计上看,小尺寸闪存对消费终端产品闪存卡显得尤为重要。芯片面积为131平方毫米,符合行业标准 TSOP(薄型小尺寸封装)封装。

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