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器件功率直流电机IR推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出一系列新型HEXFET®功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))IRFH6200TRPbF

这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅技术,是该公司首批采用5x6mmPQFN封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可实现业界领先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高仅为1.2m,显著降低了手工工具等直流电机驱动应用的传导损耗。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:凭借在基准MOSFET技术方面的丰富经验和不断努力,IR推出了结合我们最新一代芯片PQFN封装技术的MOSFET系列,实现了业界领先的RDS(on),继续开创卓越性能的先河。此外,在未来几个月,我们将按照产品路线图推出宽泛组合的PQFN基准MOSFET产品,以满足客户的需求。

25V IRFH5250TRPbF30V IRFH53xxTRPbF器件都是专为DC开关应用设计的,例如需要高电流承载能力和高效率的有源ORing和直流电机驱动应用。IRFH5250TRPbF具有极低的RDS(on),最高只有1.15m,且栅极电荷(Qg)仅为52nC。而IRFH5300TRPbF的最高RDS(on)只有1.4mQg达到了50nC

如果采用IRFH6200TRPbFIRFH5250TRPbFIRFH53xxTRPbF器件,不仅能够实现卓越的热性能,还可以根据给定的功率损耗要求,比现有解决方案使用更少的元件,节省电路板空间及成本。

所有这些新器件均具有低热阻(<0.5°C/W),并达到一级湿敏(MSL1)工业合格水平,也不含铅、溴化物和卤素,且符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)

IRFH6200TRPbF产品规格

器件编号

封装

电压

最大Vgs

Rdson max @ Vgs=4.5

Rdson max @ Vgs=2.5

Id @ Tc=25

IRFH6200TRPbF

PQFN 5x6mm

20 V

±12V

1.2 mΩ

1.4 mΩ

100 A

IRFH5250TRPbFIRFH53xxTRPbF产品规格

器件编号

封装

电压

Rdson max @ Vgs=10

Rdson max @ Vgs=4.5

Qg typ @ Vgs=4.5

Id @ Tc=25

IRFH5250TRPbF

PQFN 5x6mm

25 V

1.15 mΩ

1.7 mΩ

52 nC

100 A

IRFH5300TRPbF

PQFN 5x6mm

30 V

1.4 mΩ

2.1 mΩ

50 nC

100 A

IRFH5301TRPbF

PQFN 5x6mm

30 V

1.85 mΩ

2.9 mΩ

37 nC

100 A

IRFH5302TRPbF

PQFN 5x6mm

30 V

2.1 mΩ

3.5 mΩ

29 nC

100 A

有关产品现正接受批量订单。这些新器件的数据表和应用说明已刊登于IR的网站www.irf.com

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