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器件栅极电压NEC推出增加击穿电压的PowerMOSFET NP-系列NPxxN10SDE

NEC电子公司推出了PowerMOSFET NP系列新品NP28N10SDE和NP36N10SDE。两器件的击穿电压为100V,补充了低电压PowerMOSFET产品,用于汽车应用中。

NP28N10SDE和NP36N10SDE的额定电压为100 V,开关电流分别高达28 A和36 A。两器件采用NEC电子公司的UMOS-2技术,具有RDS(开)值:41 mΩ (NP28N10SDE) 和27 mΩ (NP36N10SDE),以及低栅极电荷和输入电容值。两个器件均具有逻辑电平栅极驱动,采用受欢迎的TO-252 (DPAK) SMD封装。

该器件与所有NP系列产品一样,获得AEC-Q101认证,沟道温度高达175 °C,由于镀锡引线而完全符合RoHS标准。这些新器件由于有更高击穿电压而满足了汽车电子对PowerMOSFET器件的不断增长需求,如:DC/DC转换器和喷射控制,用于汽油和柴油喷射系统或照明应用如:LED或HID灯。
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