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器件电压电阻Vishay推出Super 12高性能产品

Vishay Intertechnology推出2010年的“Super 12”高性能产品。这些系列器件具有业内领先的标准,如容值电压、电流等级和导通电阻。是很多关键应用的理想选择,也是Vishay广泛的产品线组合的典型代表产品。

2010年将要发布的Super 12产品是:

597D和T97多模钽电容:对于+28V应用,工业级的597D和Hi-Rel COTS T97D系列是业内首批75V额定电压的钽电容。这些器件具有业内最高的容值-电压,从4V电压的1500μF到75V电压的15μF,可节省PCB空间,同时低至15mΩ的超低ESR提高了设计效率。

MKP 1848聚丙烯薄膜电容:对于直流应用,MKP 1848电容的额定容值为1μF~400μF,有2个或4个引脚用于PCB安装(MKP 1848),额定容值为60μF~400μF的器件采用总线条,用于直接IGBT安装(MKP 1848 PCP)。

IHLP®-6767功率电感:IHLP-6767器件是目前额定电流最高的SMD功率电感。器件的尺寸为4.0mm x 7.0mm,电流可达100A,感值为100μH,还具有优异的温度稳定性。

WSMS和WSBS高功率分流电阻:WSMS功率计分流电阻和WSBS车用电池分流电阻具有50μΩ~500μΩ的极低阻值,2908、3124和5515外形尺寸电阻的功率为3W,8518尺寸的功率达36W。器件的全焊接结构使器件可以在大于400A的连续电流下工作。

LPS平板厚膜电阻:LPS系列采用紧凑的57mm x 60mm的外形尺寸,功率耗散达800W,重量为83g。器件的绝缘强度达12kVRMS,阻值范围为0.3Ω~900kΩ。

无磁MLCC:这些MLCC电容采用无磁材料制造,采用多种组装方式,包括导电树脂和红外回流焊组装。器件具有各种尺寸、电压等级和容值,采用了贵金属和湿法制造工艺,以达到高可靠性。

第三代TrenchFET®P沟道MOSFET:这种最新一代的P沟道硅技术使器件实现了业内最佳的导通电阻标准,如采用PowerPAK®SO-8封装的导通电阻为1.9mΩ。第三代TrenchFET P沟道MOSFET的rDS(on)只有市场上最接近器件的一半,用更低的传导损耗实现了更高的效率,使采用电池的应用在两次充电之间的时间更长。这种MOSFET还提供完整的封装选项,包括1.6mm x 1.6mm的PowerPAK SC-75封装。

20A的第5代肖特基二极管20WT04FN:20WT04FN是业界首款采用D-PAK封装的20A、40V二极管。该器件的工作温度可高达+175℃,在20A、+125℃下的最大正向电压降为0.530V,在45V、+125℃下的最大反向漏电流为7mA。

MSS1P2U和MSS1P3U eSMPTMSMD肖特基势垒整流器:MSS1P2U和MSS1P3U MicroSMP整流器具有高电流密度,在0.4V电压下具有0.35V的超低正向电压降,典型厚度为0.68mm。

VO3120和VO3150A IGBT/MOSFET驱动器:这些2.5A和0.5A的驱动器的供电电压范围为15V~32V,工作温度范围为+40℃~+110℃。

SiC769 DrMOS 6x6:SiC769集成式MOSFET和驱动IC方案具有业内最佳的功率密度,可用于主流的多相Vcore应用。新器件完全符合针对高功率CPU系统中电压调整器(VR)的DrMOS标准,工作频率可达1MHz。

第9代Super JunctionTMFET MOSFET:Vishay的22A、600V Super Junction FET MOSFET具有低至0.19Ω(最大)的导通电阻,改善了导通电阻与栅极电荷的乘积,即优值(FOM)。

http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010

公司网址:www.vishay.com

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