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半导体噪声器件飞兆半导体150V 在隔离DC-DC应用中实现更高性能

飞兆半导体宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200,以满足DC-DC设计人员对具有较低开关损耗、较低噪声和紧凑占位面积之MOSFET产品的需求。该器件利用飞兆半导体先进的工艺技术和封装技术,以及系统专有技术,并采用5mm x 6mm MLP封装,具有效率高、功耗较低和散热较少的特性。

FDMS86200使用屏蔽栅极MOSFET技术来设计,具有较低的开关噪声和振铃噪声,有助于降低EMI。如果没有这项专有技术功能,设计人员则需被迫选择一个200V MOSFET器件,从而令到RDS(ON)增加一倍,导致总体效率降低。飞兆半导体的FDMS86200 还带有经改进的体二极管,能够通过减少损耗来提升开关性能。

价格: 订购1,000个,单价为1.92美元

供货: 现提供样品

交货期 :收到订单后12至15周

查看飞兆半导体在Twitter发放的实时产品信息,请访问:http://twitter.com/FairchildSemi

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