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沟道器件功率安森美推出6款新的逻辑电平功率MOSFET

 安森美半导体(ON Semiconductor)推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET,用于汽车模块,采用小型扁平引脚(FL)封装。

  这些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封装及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封装,占位面积比业界标准DPAK封装小50%或以上,但提供相同或更低的导通阻抗。相对采用历史较长的DPAK封装的元件而言,这些器件节省珍贵的电路板空间,非常适合于燃油喷射系统及电机控制驱动器等汽车应用中的负载开关、DC-DC转换及电源管理。

  安森美半导体新的功率MOSFET产品组合中涵盖30 V、40 V和60 V及N沟道和P沟道器件,为客户的新产品设计提供了宽范围选择。极低的导通阻抗[RDS(on)]将导电及功率损耗降到最低,同时大电流能力(介于6.3 A到65 A之间,因器件而异)确保提供强固的负载性能。这些器件通过AEC-Q101认证,彰显它们适合汽车应用。

  NVMFS4841N (30 V、65 A单N沟道)器件采用SO-8FL封装,NVTFS4823N (30 V、30 A单N沟道)、NVTFS5116PL (60 V、14 A单P沟道)、NVTFS5811NL (40 V、40 A单N沟道)、NVTFS5826NL (60 V、20 A单N沟道)及NVTFS5820NL (60 V、29 A单N沟道N)采用WDFN-8封装。

  安森美半导体功率MOSFET业务部副总裁Paul Leonard说:“减小模块总体尺寸及提供可靠和强固的性能,是汽车电子应用的两大要求。我们新的功率MOSFET器件满足这些要求,使汽车客户节省珍贵的印制电路板(PCB)占位面积,或在更小的总体设计中集成更多的功能。”

  

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