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器件电荷无源Vishay发布两款20V和30V n通道器件Si7718DN/84DP

Vishay 扩展了其Gen III TrenchFET电源MOSFET产品线,发布了两款20-V和两款30-V n-通道器件,可用于同步降压转换器高压MOSFET,有助于节约笔记本电脑、电压稳压器模块、服务器以及其他使用POL电源转换系统节约功耗。

这些MOSFETs是首次采用Vishay的TurboFET技术的器件,采用新的漏电荷平衡架构,从而降低45%的栅电荷,因此,实现更低开关损耗和更快的切换。

相比于最接近的竞争器件,这些器件4.5V时栅电荷降低45%,10V降低36%,FOM低50%。较低的栅电荷意味着在任何频率下更高效的转换,尤其是给设计人员一个以较高频率运行的选择,能够在DC-DC转换器中采用较小的无源器件。

Vishay的30-V TurboFET器件包括新款Si7718DN,以及Si7784DP采用PowerPAK SO-8封装。PowerPAK SO-8版本的20-V SiS426DN器件,SiR496DP也可以用于高电流应用中。日前发布的所有器件都是无卤,并100%经过Rg和UIS测试。

目前可以供货,订货量大时供货期为10——12周,100000片起订起价为$0.32。

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