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器件噪声时钟下一代LTE基站发射机的RF IC集成设计

  发射机板级设计的一个重要方面是用于各个上变频和下变频转换电路的本振时钟的合成和分配。基站本振时钟的分配必须保持到PCB所有远距离位置的相位一致性,而且必须具有低的带内噪声、宽带噪声以及总杂散噪声。混频器性能与驱动它的本振性能一样,因此高质量的本振是提高发射机总体性能的关键。此外,本振信号上很小的相位噪声或杂散分量都有可能在模拟信号路径中引入足够大的能量,导致发射机不能满足一些主要的蜂窝通信标准(MC-GSM、WCDMA、LTE、WiMAX)
规定的杂散干扰指标。这些标准要求的本振频率范围为约500MHz至接近4GHz,这意味着用于本振时钟分配的版图设计必须十分小心。从本振产生到最后终结的走线长度应尽可能短,但如果本振合成器必须馈送到多个不同器件时,这个要求就很难满足。一种解决方案是将公共的低频参考时钟馈送到每个本振附近的独立PLL合成器,但这会占用很大的PCB面积。

  

  ADRF670x系列器件集成了3个LDO电路,可在单5V电源下工作,从而进一步简化了用户应用、减小了成本和电路板面积。LDO用于向VCO、电荷泵以及PLL增量累加调制器提供稳定电源,+5V电源可直接用于I-Q调制器,以使输出功率最大。
  在高密度应用中,ADL670x可以利用PLL完成本振的内部合成,而其它器件可以禁用它们的PLL,并使用来自某个主器件的公共本振。
  ADRF670x系列产品设计用于简化用户接口,方便与ADI最新的发送数模转换器AD9122和GaAs放大器(如ADL5320)的连接。(ADL5320是一个0.25瓦高线性度放大器,能够将0dBm以上功率驱动进最末级功放电路。)这三个尺寸紧凑的IC构成了一个完整的有源IC器件组合,是所有下一代多载频蜂窝无线平台的理想之选。

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